[发明专利]一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。

主权项

一种在Si衬底上制备高取向BiFeO3薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)Si(100)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；b)利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上，在激光能量400毫焦/脉冲，衬底温度650‑750℃，沉积氧压5‑8Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率3‑5Hz的条件下，沉积时间20min，原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高取向的LaNiO3薄膜；c)利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上，在激光能量350毫焦/脉冲，衬底温度600‑700℃，沉积氧压0.1‑2Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率5‑7Hz的条件下，沉积时间30min，300Pa氧压下原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高取向的BiFeO3薄膜。