[发明专利]基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法无效
| 申请号： | 201010544428.4 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102466980A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;李海亮;朱效立;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光，在负性光刻胶上形成闪耀光栅图形，之后在此图形上生长多层膜，形成多层膜闪耀光栅。利用本发明，克服了电子束效率低和难制作闪耀角的缺点，结合了电子束的图形输出能力和X射线的高分辨率、高效率的优点，通过接触式曝光，调整曝光卡具的方向来改变X射线入射角度，完成闪耀光栅图形的生成，然后通过生长多层膜实现多层膜闪耀光栅的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子束光刻 射线 曝光 制作 多层 闪耀 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法，其特征在于，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光，在负性光刻胶上形成闪耀光栅图形，之后在此图形上生长多层膜，形成多层膜闪耀光栅。
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