[发明专利]一种电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法无效
| 申请号： | 201010545155.5 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102097297A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 江婷婷;孙清清;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种采用电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法。具体是在电场的诱导下，石墨烯表面的离域大π建被破坏，电子分布取向发生变化，从而可以在不预先淀积缓冲层的情况下直接在石墨烯表面原子层淀积均匀的高k栅介质，简化了工艺过程，提高了石墨烯器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 诱导 石墨 表面 原子 层淀积高 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种采用电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法，其特征在于具体步骤包括：在第一块硅衬底上形成镍薄膜；在所述镍薄膜上生长石墨烯；刻蚀镍薄膜，并将所形成的石墨烯转移到第二块硅衬底上；将第二块硅衬底放入原子层淀积反应腔中；在原子层淀积反应腔中施加电场，使石墨烯表面电子分布取向发生变化，石墨烯表面化学活性增强；在石墨烯表面完成原子层淀积的初始化学吸附；在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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