[发明专利]一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010545653.X | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102030877A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李宝铭;涂兆;王攀;郑玉婴 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C08G12/40 | 分类号： | C08G12/40;C08G12/26;G02F1/361 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料的制备方法，属于共轭聚合物材料的合成技术。该制备方法包括以下过程：将3-丁酰基吡咯与对十四烷氧基苯甲醛在酸性条件下反应制备聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烷)]（PBPDTBA）；将PBPDTBA利用四氯苯醌进一步醌化得到聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烯)]（PBPDTBE）。本发明制得的聚吡咯甲烯可以溶于氯仿、苯等低沸点溶剂中，溶解性和成膜性优良，光学带隙和电化学带隙分别为1.84eV和1.60eV，采用Z-扫描法测量其三阶非线性光学极化率达到1.22×10-8esu。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄带 吡咯 光电 功能 聚合物 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料，所述窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料为聚{(3‑丁酰基)吡咯‑[2,5‑二(对十四烷氧基苯甲烯)]}。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010545653.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
