[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201010546347.8 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102064186A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王楚雯;赵东晶 | 申请（专利权）人： | 王楚雯;赵东晶 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构，包括：第一半导体材料衬底；形成在第一半导体材料衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；形成在第二多孔结构层之上的图形化结构层；和形成在图形化结构层之上的第二半导体材料层。本发明通过多孔结构层能够释放Si材料与外延材料的热失配应力，防止比较大厚度下外延膜龟裂等问题的发生，提高外延膜晶体质量。因此通过本发明能够在Si衬底上外延大厚度的与Si材料存在较大热失配应力的外延材料层(如GaN等)，而且多孔Si材料在后续工艺中可以被去除掉，因此也不会对后续器件工艺造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一半导体材料衬底；形成在所述第一半导体材料衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；形成在所述第二多孔结构层之上的图形化结构层；和形成在所述图形化结构层之上的第二半导体材料层。
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