[发明专利]电子混杂器件无效
| 申请号： | 201010546571.7 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102110643A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 雷内·怀兹;西尔维亚·罗塞利;加布里埃尔·内尔斯;尼克劳斯·科诺;佐伊·卡里披都;阿孟和·柏蒙蒂·兹赖 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/8238;H01L21/321;H01L21/027;H01L21/20;H01L51/00;B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子混杂器件，以及涉及制造该电子器件的方法，所述方法包括提供包含半导体器件叠层的衬底；在所述衬底上沉积第一材料层，所述第一材料层(3)是绝缘层；在所述第一材料层上沉积活性有机材料层；在所述活性有机材料层上沉积第二材料层，所述第二材料层是绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 混杂 器件 | ||
【主权项】：
一种制造电子器件的方法，所述方法包括：提供包含半导体器件叠层的衬底(1)；在所述衬底上沉积第一材料层(3)，所述第一材料层(3)是绝缘层；在所述第一材料层(3)上沉积活性有机材料层(6)；在所述活性有机材料层(6)上沉积第二材料层(8)，所述第二材料层(8)是绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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