[发明专利]半导体结构以及半导体元件的形成方法无效
| 申请号： | 201010546700.2 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102254872A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 余振华;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构以及半导体元件的形成方法，半导体结构包括一第一基板、一第二基板以及一导电材料。第一基板具有形成于其上的电路。第二基板包括一第一接垫、一第一缓冲层以及一第一导体焊垫，其中第一缓冲层位于第一接垫上，且第一缓冲层的一开口暴露出至少部分的第一接垫，第一导体焊垫电性接触第一接垫并具有一非平坦的表面，第一导体焊垫沿着开口的侧壁而形成并延伸至至少部分的第一缓冲层上。导电材料插置于第一基板与第二基板之间，导电材料直接接触第一导体焊垫。本发明可减少凸块与芯片之间的界面区域中的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一基板，具有形成于其上的电路；一第二基板，包括一第一接垫、一第一缓冲层以及一第一导体焊垫，其中该第一缓冲层位于该第一接垫上，且该第一缓冲层的一开口暴露出至少部分的该第一接垫，该第一导体焊垫电性接触该第一接垫并具有一非平坦的表面，该第一导体焊垫沿着该开口的侧壁而形成并延伸至至少部分的该第一缓冲层上；以及一导电材料，插置于该第一基板与该第二基板之间，该导电材料直接接触该第一导体焊垫。
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