[发明专利]氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件有效
| 申请号： | 201010547424.1 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102154704A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件。所述氮化物半导体晶体不会产生开裂、裂纹，具有可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的结构。所述氮化物半导体晶体(10)的特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且前述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层(1)和杂质浓度高的氮化物半导体层(2)交替2周期以上地层叠而构成的。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶体 支撑 衬底 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶体，其特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且所述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层和杂质浓度高的氮化物半导体层交替2周期以上地层叠而构成的。
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