[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括于一半导体基板的上方形成一栅极堆叠结构；于上述半导体基板中形成一凹陷，且邻接于上述栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于上述凹陷中成长一半导体材料，以形成一外延区；进行上述选择性成长步骤之后，对上述外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长上述半导体材料的一第一气体和用以蚀刻上述外延区的一第二气体的工艺气体进行上述选择性回蚀刻步骤。本发明可借由选择性回蚀刻步骤减少图案负载效应，以达到形成更均一的外延区，且改善外延区的轮廓。可减少甚至消除外延区的琢面。

主权项

一种半导体结构的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板的上方形成一栅极堆叠结构；于该半导体基板中形成一凹陷，且邻接于该栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于该凹陷中成长一半导体材料，以形成一外延区；以及进行该选择性成长步骤之后，对该外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长该半导体材料的一第一气体和用以蚀刻该外延区的一第二气体的工艺气体进行该选择性回蚀刻步骤。