[发明专利]相变存储器的制作方法无效
| 申请号： | 201010548610.7 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102468434A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 符云飞;程永亮;郭世璧;荆学珍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层和与所述层间介质层齐平的多晶硅层，所述层间介质层环绕所述多晶硅层；部分刻蚀所述多晶硅层，在剩余的多晶硅层上方形成沟槽；在所述沟槽底部形成粘附金属层，所述粘附金属层的材质为金属硅化物；在所述接触金属层上方形成相变层，所述相变层填充满所述沟槽。本发明提高了制作的相变存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层和与所述层间介质层齐平的多晶硅层，所述层间介质层环绕所述多晶硅层；部分刻蚀所述多晶硅层，在剩余的多晶硅层上方形成沟槽；在所述沟槽底部形成粘附金属层，所述粘附金属层的材质为金属硅化物；在所述接触金属层上方形成相变层，所述相变层填充满所述沟槽。
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