[发明专利]内置反光镜的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010549082.7 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194940A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;郑如定 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种内置反光镜的发光二极管及其制备方法，包括：在衬底上用高熔点材料制备一层薄膜；通过光刻，刻蚀在衬底上用高熔点材料制备图形；在高熔点材料形成的图形上制作GaN基发光二极管外延层；放入腐蚀溶液，通过侧向腐蚀去除GaN外延层下面的高熔点材料，形成反光镜；制作发光二极管芯片。本发明的优点在于：更多的光从正面的透明电极e出射，提高发光二极管的抽取效率。在高熔点材料形成的图形上沉积GaN基发光二极管外延层，采用横向生长，也可以减少外延层的缺陷密度。整个工艺过程比较简单，容易控制，成本低，适用于大规模的商业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 反光镜 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种内置反光镜的发光二极管，其特征在于：该发光二极管包括衬底、衬底上反光镜、及反光镜上方GaN基发光二极管。
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