[发明专利]一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法有效
申请号: | 201010549329.5 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102044577A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法,该薄膜太阳电池从下到上依次由聚亚酰胺、钼背电极、铜铟铝硒光吸收层、硫化锌缓冲层、氧化锌铝窗口层和镍铝顶电极构成。本发明还公开了一种柔性薄膜太阳电池的制备方法,包括:1)采用直流磁控溅射法在聚亚酰胺基底上沉积0.3~3.0μm的钼背电极;2)采用溅射硒化法在钼背电极上沉积0.5~5.0μm的铜铟铝硒薄膜;3)在铜铟铝硒薄膜上采用射频反应溅射法生长硫化锌薄膜;4)采用直流磁控溅射法在硫化锌薄膜上生长氧化锌铝薄膜;5)采用蒸发法掩膜沉积镍铝合金薄膜。本发明大大减少了稀贵金属和有毒元素的使用,具有结构及制造工艺简单、光电转化效率高且稳定性良好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性薄膜太阳电池,从下到上依次由基底、背电极、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极构成,所述的缓冲层为硫化锌薄膜,其厚度为20~100nm,所述的窗口层为氧化锌铝薄膜,其厚度为0.2~5.0μm,所述的顶电极为镍铝合金薄膜,其厚度为0.2~5.0μm,其特征在于:所述基底为聚亚酰胺,其厚度为10~100μm,所述的光吸收层为铜铟铝硒薄膜,其厚度为0.5~5.0μm,所述背电极为钼膜,其厚度为0.3~3.0μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的