[发明专利]一种立式氢化物气相外延生长系统有效
| 申请号： | 201010549729.6 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102465333A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 修向前;张荣;华雪梅;谢自力;韩平;施毅;顾书林;胡立群;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立式 氢化物 外延 生长 系统 | ||
【主权项】：
一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，其特征是反应腔体为立式结构，生长区高1～5cm，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置，石墨支托直径随着设置的外延生长衬底数目的不同从60mm到500mm，反应腔体内保持0.1‑1个大气压。
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