[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010549896.0 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339838A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈柏硕 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器，包括：一像素传感器；一彩色滤光片阵列，包括多个彩色滤光片，形成于该像素传感器上，其中两相邻彩色滤光片之间具有一缝隙；以及一无缝微透镜阵列，包括多个微透镜，形成于该彩色滤光片阵列上。本发明亦提供一种图像传感器的制造方法。于本发明揭示的制造方法中，仅借由涂布与一热工艺即可形成一无缝微透镜阵列，毋须借由额外光刻工艺。因此，微透镜材料的选择并不限定为光敏感性材料，其他非光敏感性材料亦可适用，如此，可大幅提升工艺宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：一像素传感器；一彩色滤光片阵列，包括多个彩色滤光片，形成于该像素传感器上，其中两相邻彩色滤光片之间具有一缝隙；以及一无缝微透镜阵列，包括多个微透镜，形成于该彩色滤光片阵列上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
