[发明专利]一种高电源抑制比的电压基准电路无效
| 申请号： | 201010549933.8 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102467150A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张立新;谢凌寒;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;武家中 | 申请（专利权）人： | 无锡芯朋微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种高电源抑制比的电压基准，包括前级缓冲电路和传统电压模带隙基准电路，其中前级缓冲电路包括电流偏置模块和低阻抗电路模块。所述低阻抗电路模块为第二级传统电压模带隙基准电路提供静态工作点、抑制电源噪声。第二级传统电压模带隙基准电路产生1.25V带隙基准。该电压基准电源抑制比高，在低频段的电源抑制比约为125dB，而在10KHz时，电源抑制比约为94dB，这一性能远高于一般的电压基准。在要求对电源噪声抑制高的模拟芯片中，例如高电源抑制比的LDO，这类电路可以广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种高电源抑制比的电压基准电路，包括前级缓冲电路和传统电压模带隙基准电路，其特征是所述前级缓冲电路包括电流偏置模块和低阻抗电路模块。
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