[发明专利]硅的冶金化学提纯方法

摘要

本发明涉及硅的提纯和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅材料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅材料和特定熔剂、特定除杂剂制成的含硅熔体的方法，经精炼纯化，并使硅从熔体中分离出来，得到纯化的硅，经进一步除去熔剂成分，获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。

主权项

提纯硅的方法，包含以下步骤：1)将硅、熔剂和除杂剂制成混合熔体；其中，所述的熔剂为选自以下一组物质中的任意一种或一种以上物质的组合物：锂、钾、钡、锶、钙、钠、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镁、镝、钪、铍、铝、钛、锰、锌、铬、镓、铁、镉、铟、铊、钴、镍、钼、锡、铥、铅、铋、铜、银、金；所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：钾、钡、锶、钙、钠、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镁、镝、钪、铍、铝、钛、锆、钒、锰、铌、锌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；2)任选精炼或纯化该混合熔体；3)从混合熔体中使硅结晶并分离出来；4)任选除去获得的硅晶体中残余的熔剂成分。