[发明专利]用于半导体封装应用中的互连导电物薄膜及其相关方法

摘要

本发明公开了用于集成电路封装的互连导电物薄膜。所述互连导电物薄膜包括支撑多个导电区域的基板。所述基板包含刚棒型聚酰亚胺及约5-60重量％的填料。所述填料具有至少一个(平均)小于约800纳米的尺度，并且所述填料还具有大于约3∶1的平均纵横比。

主权项

一种形成用于集成电路封装的互连导电物薄膜的方法，所述方法包括：将多个导电区域沉积到基板上，其中所述基板包含：a)所述基板的40％至95重量％的量的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺衍生自：i)至少一种芳族二酸酐，至少85摩尔％的所述芳族二酸酐为刚棒型二酸酐，和ii)至少一种芳族二胺，至少85摩尔％的所述芳族二胺为刚棒型二胺；以及b)填料，所述填料：a)在至少一个尺度上小于800纳米；b)具有大于3∶1的纵横比；c)在所有尺度上小于所述薄膜的厚度；以及d)以所述薄膜的总重量的5％至60重量％的量存在，所述基板具有4至150微米的厚度，其中所述导电区域的沉积在所述基板的连续纤维网上实现。