[发明专利]超级结器件制造纵向区的方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件制造纵向区的方法，与传统方法相比，在对CMP阻挡层进行CMP工艺之后增加了对CMP阻挡层的横向回刻，使得在CMP阻挡层下的单晶硅暴露出来，然后采用各向同性刻蚀去除这些暴露出来的单晶硅，最终获得不再具有横向填充的单晶硅的纵向区，避免器件缺陷，改善了器件性能。

主权项

一种超级结器件制造纵向区的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在硅衬底上生长一层外延层；第2步，在外延层之上依次淀积一层CMP(化学机械研磨)阻挡层和刻蚀阻挡层；第3步，采用光刻和刻蚀工艺在外延层中刻蚀出沟槽，沟槽的底部在外延层中或到达硅衬底的上表面；第4步，采用干法反刻工艺或湿法腐蚀工艺去除刻蚀阻挡层；第5步，在沟槽中采用外延工艺淀积单晶硅，将沟槽完全填充，形成纵向区；此时在CMP阻挡层之下、沟槽边缘上方具有横向填充的单晶硅；第6步，采用CMP工艺去除CMP阻挡层之上的单晶硅并做平坦化处理，此时在CMP阻挡层之下、沟槽边缘上方的单晶硅仍有残留；第7步，采用各向同性的刻蚀工艺对CMP阻挡层进行刻蚀，去除沟槽边缘上方的CMP阻挡层，暴露出沟槽边缘上方残留的单晶硅；第8步，采用各向同性的刻蚀工艺去除沟槽边缘上方残留的单晶硅；第9步，采用干法反刻工艺或湿法腐蚀工艺完全去除CMP阻挡层。