[发明专利]一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺

摘要

本发明属于晶硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺。该发明采用先氧化后扩散的方法，提高太阳能电池发射极的方阻均匀性，其工序包括，氧化层的制备，发射极的制备，磷硅玻璃去除。此工艺提高了发射极扩散的均匀性，减少了发射极的间隙缺陷，提高了短波段光子的利用率，改善了晶体硅太阳能电池的电性能，并且易于工业化生产。

主权项

一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺，其特征在于硅片在扩散前先进行氧化，扩散过程包含以下工艺步骤：氧化层的制备，发射极的制备，磷硅玻璃去除。