[发明专利]化学气相沉积的装置和方法无效
申请号: | 201010550952.2 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102260861A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 柳钟贤;李诚宰;李在寅;朴根佑;罗润柱;姜洙浩 | 申请(专利权)人: | 塔工程有限公司 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;吴鹏章 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种化学气相沉积装置,其具有在所述化学气相沉积装置的顶部上的等离子体发生器,以将工艺反应气体分解成自由基并将该自由基通过喷头供给到反应室内。根据本发明的一个示例性实施方案,所述化学气相沉积装置包括:容纳晶片的反应室,在所述反应室中通过第一反应气体和第二反应气体的反应在所述晶片上进行化学气相沉积;等离子体室,在所述等离子体室中所述第二反应气体通过等离子体发生器被转变成等离子态;和安装在所述反应室顶部上的喷头,其将从所述等离子体室引入的所述第一反应气体和所述第二反应气体在不使所述第一反应气体和所述第二反应气体相互接触的情况下排放到所述反应室。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积装置,包括:容纳晶片的反应室,在所述反应室中通过第一反应气体和第二反应气体的反应在所述晶片上进行化学气相沉积;等离子体室,在所述等离子体室中通过等离子体发生器使所述第二反应气体转变成等离子态;和安装在所述反应室顶部上的喷头,在不使所述第一反应气体和所述第二反应气体相互接触的情况下所述喷头将所述第一反应气体和从所述等离子体室引入的所述第二反应气体排放到所述反应室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的