[发明专利]表膜有效
申请号: | 201010552835.X | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102073213A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 矢野浩平;山下泰辉 | 申请(专利权)人: | 旭化成电子材料株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;C09J133/08;C09J133/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供具有有机气体吸附性能优异的粘合剂的表膜(pellicle)。该表膜的特征在于,所述表膜具有表膜框、在该表膜框的一个端面具有表膜用膜,在另一个端面具有粘合剂,该粘合剂的甲苯重量溶胀度为5倍以上。 | ||
搜索关键词: | 表膜 | ||
【主权项】:
一种表膜,其特征在于,所述表膜具有表膜框,在该表膜框的一个端面具有表膜用膜,在另一端面具有粘合剂,该粘合剂的甲苯重量溶胀度为5倍以上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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