[发明专利]一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备

摘要

本发明公开了一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备。根据本发明方案的装置包括包含紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区。第一类型半导体吸收在第一波长范围中的光，第二类型半导体吸收在第二波长范围中的光。限定倍增区以紧邻吸收区并与吸收区分开。倍增区包括存在电场的本征半导体区，以倍增在吸收区中产生的电子。

主权项

一种新式锗/硅雪崩光电检测器设备，其特征在于：包括紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区，所述第一类型半导体吸收在第一波长范围内的光，所述第二类型半导体吸收在第二波长范围内的光：以及被限定紧邻所述吸收区并且与所述吸收区分开的倍增区，所述倍增区包括存在电场的本征半导体区，以倍增在所述吸收区中产生的电子；第一类型半导体区包括硅，第二类型半导体区包括锗；具有的反射层包括绝缘体上硅晶片的埋置氧化物层；具有限定在吸收区中的紧邻掺杂接触层的护圈；具有的光聚焦元件包括透镜；每个光电检测器还包括包含吸收区和倍增区的谐振腔。