[发明专利]一种柔性薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201010553274.5 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102074482A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种柔性薄膜晶体管制造方法，其包括如下步骤：1）在临时基板上形成牺牲层；2）将薄膜晶体管制作在所述牺牲层上；3）去掉所述牺牲层；4）将薄膜晶体管转移到柔性基板上制得柔性薄膜晶体管。采用本发明的方法制备柔性薄膜晶体管可以节省制造成本，缩短制造时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：1)、在临时基板上形成牺牲层； 2)、将薄膜晶体管制作在所述牺牲层上；3)、去掉所述牺牲层；4)、将薄膜晶体管转移到柔性基板上得到柔性薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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