[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201010553709.6 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102064236A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 陈金元;马哲国;董家伟 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/455;C23C16/505 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 英属维京群岛托*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括:提供一薄膜太阳能电池沉积设备,所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔;提供基板,所述基板设置在所述反应腔中;向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第一气压下,在基板上形成P型微晶硅层;向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第二气压下,在所述P型微晶硅层上形成孵化层,所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar;向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第三气压下,在所述孵化层上形成本征微晶硅层。在低气压下的条件下生长孵化层可以降低发尘的几率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括:提供一薄膜太阳能电池沉积设备,所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔、位于所述反应腔内的上电极、与上电极相连的射频产生装置,所述射频产生装置用于向所述上电极加载射频信号,用于形成等离子体,以沉积硅薄膜;提供基板,所述基板设置在所述反应腔中;向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第一气压下,在基板上形成P型微晶硅层;向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第二气压下,在所述P型微晶硅层上形成孵化层,所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar;向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第三气压下,在所述孵化层上形成本征微晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的