[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010553709.6 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102064236A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 陈金元;马哲国;董家伟 申请(专利权)人: 理想能源设备有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/455;C23C16/505
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 英属维京群岛托*** 国省代码: 维尔京群岛;VG
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摘要: 一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括:提供一薄膜太阳能电池沉积设备,所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔;提供基板,所述基板设置在所述反应腔中;向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第一气压下,在基板上形成P型微晶硅层;向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第二气压下,在所述P型微晶硅层上形成孵化层,所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar;向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第三气压下,在所述孵化层上形成本征微晶硅层。在低气压下的条件下生长孵化层可以降低发尘的几率。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括:提供一薄膜太阳能电池沉积设备,所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔、位于所述反应腔内的上电极、与上电极相连的射频产生装置,所述射频产生装置用于向所述上电极加载射频信号,用于形成等离子体,以沉积硅薄膜;提供基板,所述基板设置在所述反应腔中;向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第一气压下,在基板上形成P型微晶硅层;向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第二气压下,在所述P型微晶硅层上形成孵化层,所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar;向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气,将所述反应腔内的气体控制在第三气压下,在所述孵化层上形成本征微晶硅层。
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