[发明专利]一种外延片的形成方法及外延片有效
| 申请号： | 201010554034.7 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102468142A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;火东明 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;C30B29/40;C30B29/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种外延片的形成方法及外延片。该方法包括：检测外延片在未经应力补偿下的内应力类型；提供第一材料衬底层；根据检测的内应力类型选择淀积工艺和/或淀积材料；根据选择的淀积工艺和/或淀积材料确定淀积材料的厚度；根据选择的所述淀积工艺、淀积材料和确定的所述淀积材料的厚度在所述第一材料衬底层的第二表面之上形成应力补偿层；和在第一材料衬底的第一表面之上形成第二材料层。通过本发明实施例可以使得由于应力补偿层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径正好与由于第二材料层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径相抵消。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种外延片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：检测所述外延片在未经应力补偿下的内应力类型；提供第一材料衬底层，所述第一材料衬底层具有第一表面和第二表面；根据检测的所述内应力类型选择淀积工艺和/或淀积材料；根据选择的所述淀积工艺和/或淀积材料确定所述淀积材料的厚度；根据选择的所述淀积工艺、淀积材料和确定的所述淀积材料的厚度在所述第一材料衬底层的第二表面之上形成应力补偿层；和在所述第一材料衬底的第一表面之上形成与所述第一材料异质的第二材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010554034.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转子
- 下一篇：咪唑并吡啶衍生物及包含它的有机电致发光元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
