[发明专利]多晶硅铸锭炉的坩埚平台

摘要

本发明公开了一种多晶硅铸锭炉的坩埚平台，坩埚平台底部为一凹坑结构，凹坑结构为一球冠形、凹坑结构的沿中心正视剖面图为一圆弧形，或者凹坑结构为由离散化台阶组成的具有球冠形轮廓的凹坑、凹坑结构的沿中心正视剖面图为一由离散化台阶组成的具有圆弧形轮廓的曲线，凹坑结构使坩埚平台的厚度从凹坑结构的中心往凹坑结构的边缘逐渐增加。本发明能有效地抑制坩埚平台中心和外围温度不均衡的情况，在整个晶体生长过程中，能够保持坩埚底部的边缘与中心的温度误差在2℃以内，保证坩埚底部的等温面为平面，从而能有效地保证晶体生长时的固液界面为水平并保证多晶硅铸锭时能够形成垂直生长的柱状晶。

主权项

一种多晶硅铸锭炉的坩埚平台，坩埚平台的顶部为平面结构，坩埚放置于所述坩埚平台的顶部表面上，加热体和保温体放置于所述坩埚的侧面四周，其特征在于：所述坩埚平台底部为一凹坑结构，所述凹坑结构的中心位于所述坩埚平台的底部中心、所述凹坑结构的边缘和所述坩埚平台的底部边缘相隔一段距离，所述坩埚平台的厚度从所述凹坑结构的中心往所述凹坑结构的边缘逐渐增加，所述坩埚平台厚度的逐渐增加值满足使所述坩埚底部的向下散热速率从中心往边缘处递减并能抵消从中心往边缘处递增的所述坩埚底部的侧向散热速率，使所述坩埚内硅液在铸锭时固液界面保持水平。