[发明专利]一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法有效
| 申请号： | 201010554940.7 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102064250A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;梁红伟;李万程 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 sic 垂直 结构 发光 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管，依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层(2)、下限制层(2)上制备的GaN材料系多量子阱发光层(3)、发光层(3)上制备的p型GaN上限制层(4)、上限制层(4)上面制备的p型InGaN盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)、衬底(1)下面制备的下电极(7)构成，其特征在于：上电极(6)制备成兼有反射镜功能，同时在盖层(5)和上电极(6)之间生长一层p型InyGa1‑yN位相匹配层(8)，上电极(6)全部覆盖在位相匹配层(8)的上面，衬底(1)是n型SiC单晶衬底，在衬底(1)的衬底面80～95％的面积上制备一层ZnO薄膜(9)，而在衬底(1)的衬底面其余的5～20％面积上制备下电极(7)。
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