[发明专利]一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电极6、下电极7构成，特征在于：衬底是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面即出光面被打毛粗化或图形化，电极7被制备在其余5％～20％面积的衬底1上，上电极6全部覆盖在盖层5上面，并制备成兼有反射镜功能。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。

主权项

一种大功率SiC衬底垂直结构发光管，依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层(2)、下限制层(2)上制备的GaN材料系多量子阱发光层(3)、发光层(3)上制备的p型GaN上限制层(4)、上限制层(4)上面制备的p型InGaN盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)、衬底(1)下面制备的下电极(7)构成，其特征在于：衬底(1)是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面被喷砂打毛粗化，电极(7)被制备在其余5％～20％面积的衬底(1)上，上电极(6)全部覆盖在盖层(5)上面，并制备成兼有反射镜功能。