[发明专利]发光二极管器件、其制造方法及半导体器件无效
| 申请号： | 201010555109.3 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102130243A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管器件、其制造方法及半导体器件，提供整合有钻石材料的发光二极管器件以及这类器件的制造方法。此制造方法可含以外延方式在一实质上为单晶的硅晶片上形成有一氮化硅层；以外延方式在碳化硅层上形成一实质上为单晶的钻石层；并掺杂该钻石层以形成一传导性钻石层；去除该硅晶片以露出该相对于钻石层的碳化硅层；以外延方式在该碳化硅层上形成有多个半导体层，其中至少一半导体层接触该碳化硅或氮化铝层；以及将一n型电极耦合到其中至少一半导体层上以使得该多个半导体层功能性地位于该传导性钻石层与该n型电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 器件 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种发光二极管器件，其特征在于，该发光二极管器件包含有：一传导性钻石层；一碳化硅层或氮化铝层，其耦合到该钻石层上；多个半导体层，其中至少一半导体层耦合到该碳化硅层或氮化铝层；以及一n型电极，其耦合到其中至少一半导体器件上，其中该传导性钻石层以及n型电极被配置为令该传导性钻石层与n型电极之间存有一实质上为线性的传导路径。
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