[发明专利]一种制备高重复性氧化钒薄膜的方法及其设备无效
| 申请号： | 201010555465.5 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102002667A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王宏臣;甘先锋;戴鹏 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市烟台经济技*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高重复性氧化钒薄膜的方法及其设备。该方法包括以下步骤：步骤1、将氧气和氩气按比例预先配气；步骤2、将经过步骤1预先配气处理的氧氩混合气体充入溅射腔室，调整镀膜过程中衬底温度、气体流量、溅射腔室压力、聚焦源离子束能量和束流密度的参数值，以确定单次镀膜的工艺条件；步骤3、在步骤2的溅射镀膜工艺条件下连续镀膜。该设备包括溅射腔室，溅射腔室设有进气管，它还包括通过进气管与溅射腔室连接的配气室。本发明采用了预先配气方案，在单次镀膜过程中从配气室内引气，确保在镀膜过程中维持溅射腔室内氧气分压恒定，进而制备出高重复性的氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 重复性 氧化 薄膜 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种制备高重复性氧化钒薄膜的方法，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1、将氧气和氩气按比例预先配气；步骤2、将经过步骤1预先配气处理的氧氩混合气体充入溅射腔室，调整镀膜过程中衬底温度、气体流量、溅射腔室压力、聚焦源离子束能量和束流密度的参数值，以确定单次镀膜的工艺条件； 步骤3、在步骤2的镀膜工艺条件下连续镀膜。
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