[发明专利]硅化钛阻挡层的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅化钛阻挡层的制作方法，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括由隔离区隔开的non-silicide区域和silicide区域，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，本发明包括：采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在non-silicide区域上，而露出silicide区域；采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉silicide区域的牺牲氧化层；对silicide区域露出的硅进行非晶化处理，As注入；去除剩余在non-silicide区域的光刻胶；溅射金属钛，进行第一次合金化处理；湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理。本发明删除了现有技术中silicideblock氧化层，减少了工艺成本；同时减少了刻蚀对隔离氧化膜的损失，提高了工艺稳定性。

主权项

一种硅化钛阻挡层的制作方法，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域，所述非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域之间由隔离区隔开，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，其特征在于，所述硅化钛阻挡层的制作方法包括如下步骤：步骤一，采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在非硅化钛合金化区域区域上，而露出硅化钛合金化区域；步骤二，采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉硅化钛合金化区域的牺牲氧化层；步骤三，对硅化钛合金化区域露出的硅进行非晶化处理，As注入；步骤四，去除剩余在非硅化钛合金化区域区域的光刻胶；步骤五，溅射金属钛，进行第一次合金化处理；步骤六，湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理。