[发明专利]磁记录介质及其制造方法无效
申请号: | 201010556737.3 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102087857A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 大野俊典;桧上龙也;药师神弘士 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/84 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张焕生;谢丽娜 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。本发明提供了一种分隔记录区域磁记录介质,所述分隔记录区域磁记录介质设置有在包括铁磁层的记录区域之间的包括非磁性层的分隔区域,并且即使铁磁层的各区之间的面内距离不同,所述分隔的记录区域磁记录介质也具有极好的磁头浮动特性;以及还提供一种用于制造该磁记录介质的方法。一种磁记录介质以及用于制造其的方法,在该磁记录介质中,磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成,其中磁记录层是具有记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域(102)的图案化介质,并且在分隔区域(102)中形成包含Ti的非磁性合金层(103-2)。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种磁记录介质,在所述磁记录介质中,磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成,其中所述磁记录层是具有记录区域以及用于分隔所述记录区域的分隔区域的图案化介质;以及在所述分隔区域中形成包含Ti的非磁性合金层。
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