[发明专利]跨越形貌的光学临近效应修正方法有效
申请号: | 201010556915.2 | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN102478760A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 陈福成;阚欢 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种跨越形貌的光学临近效应修正方法,包括如下步骤:在具有下层膜形貌的硅片上形成跨越层膜并涂布BARC;通过对硅片切片测量出不同形貌处的BRAC厚度;将所测不同厚度的BARC涂布在两块平板片上并分别涂光刻胶和曝光;收集得到不同厚度的OPC原始数据;根据原始数据分别建立不同厚度OPC模型;通过与操作获得跨越层膜和下层膜的重叠区域;将重叠区域放大预定的量并得到跨越层膜的过渡区域;将不同厚度OPC模型应用到不同区域得到重叠区域、过渡区域以及二者之为区域的光刻版尺寸。本发明能够在具有不同的下层图形形貌时得到准确的光刻图形、能提高光刻尺寸的均一性和可控性。 | ||
搜索关键词: | 跨越 形貌 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】:
一种跨越形貌的光学临近效应修正方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在具有下层膜台阶形貌的硅片上形成跨越层膜,并在所述跨越层膜上涂布底部抗反射涂层;步骤二、对步骤一所形成的所述硅片进行切片,并测量所述底部抗反射涂层的厚度,分别得到无台阶处的厚度一和有台阶处的厚度二;步骤三、在平板片一上形成厚度为厚度一的底部抗反射涂层、在平板片二上形成厚度为厚度二的底部抗反射涂层;再在所述平板片一和所述平板片二上分别涂光刻胶、并用相同的光刻条件曝光;在所述平板片一收集得到所述厚度一的光学临近效应修正原始数据一,在所述平板片二收集得到所述厚度二的光学临近效应修正原始数据二;步骤四、根据所述光学临近效应修正原始数据一建立不跨越所述下层膜的光学临近效应修正模型一、根据所述光学临近效应修正原始数据二建立跨越所述下层膜的光学临近效应修正模型二;步骤五、通过对所述跨越层膜图形和所述下层膜图形的做布尔运算的与操作,获得所述跨越层膜和所述下层膜的重叠区域;步骤六、将所述重叠区域放大预定的量得到重叠放大区域;将所述重叠放大区域与所述跨越层膜图形做与操作、再与所述重叠区域做非操作得到所述跨越层膜的过渡区域;步骤七、将所述光学临近效应修正模型一应用到所述重叠区域和所述过渡区域之外的区域得到所述重叠区域和所述过渡区域之外的区域的光 刻版的尺寸;将所述光学临近效应修正模型二应用到所述重叠区域得到所述重叠区域的光刻版尺寸、或者使用基于规则的光学临近效应修正模型应用到所述重叠区域得到所述重叠区域的光刻版尺寸;运用外差法计算得到所述过渡区域的光刻版尺寸。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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