[发明专利]一种晶圆制造方法有效
| 申请号： | 201010557298.8 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479674A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王祝山 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 南毅宁;周建秋 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对现有晶圆制造方法中存在的在晶圆的背表面和亚表面上产生损伤以及残余应力并进而对晶圆正面的半导体器件性能产生不良影响的问题，提供了一种晶圆制造方法，能够消弱在晶圆的背表面和亚表面上所产生的损伤以及残余应力对晶圆正面的半导体器件性能的不良影响。本发明提供一种晶圆制造方法，该工艺包括：选用SOI材料作为衬底，其中，所述SOI材料包括用于制造半导体器件的器件层、用于支撑所述衬底的支撑层以及位于所述器件层和所述支撑层之间的绝缘层，并且所述器件层的厚度为晶圆制造完成后的目标厚度；在所述器件层上制造半导体器件；去除所述支撑层；采用刻蚀工艺去除所述绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆制造方法，该方法包括：a)选用SOI材料作为衬底，其中，所述SOI材料包括用于制造半导体器件的器件层、用于支撑所述衬底的支撑层以及位于所述器件层和所述支撑层之间的绝缘层，并且所述器件层的厚度为晶圆制造完成后的目标厚度；b)在所述器件层上制造半导体器件；c)去除所述支撑层；d)采用刻蚀工艺去除所述绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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