[发明专利]高导高硬铜-难熔金属薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010558521.0 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101994086A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;郭中正;周铖;刘国涛 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C22C45/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 高导高硬铜-难熔金属薄膜及其制备方法。本发明属于电子工业中所用的金属互联薄膜材料及其制备技术。本发明是以铜为基体，将铜与难熔金属构成的非晶材料，该难熔金属为Nb，W或Mo中的一种或多种，且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为3.0％～16.2％。采用本技术制备的合金薄膜导电性强、硬度高，综合性能优，且本技术高效可靠，可望进一步拓展材料应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 高导高硬铜 金属 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高导高硬铜‑难熔金属薄膜，其特征是：以铜为基体，将铜与难熔金属构成的非晶材料，该难熔金属为Nb，W或Mo中的一种或多种，且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为3.0％～16.2％。
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