[发明专利]磊晶元件的制作方法有效
| 申请号： | 201010558982.8 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479887A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 武东星;洪瑞华 | 申请（专利权）人： | 萧介夫 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磊晶元件的制作方法：先在磊晶用基板上形成牺牲膜；再将牺牲膜定义出牺牲结构，并在移除牺牲膜的部分结构时使基板裸露出的区域具有多个彼此相连接的凸部与凹部；接着在牺牲结构与凸部向上磊晶形成底面与所述凹部形成间隙的磊晶层体；然后自磊晶层体上形成导电基材，之后将导电基材、磊晶层体定义出多个磊晶元件的图样流道；最后经图样流道与间隙蚀刻移除牺牲结构并让磊晶元件与基板分离，得到多个磊晶元件。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磊晶元件的制作方法；其特征在于：该磊晶元件的制作方法包含：(一)在一磊晶用基板向上形成一牺牲膜；(二)以微影制程将该牺牲膜定义形成一使该磊晶用基板对应区域裸露的牺牲结构，并在移除该牺牲膜的预定结构而使该磊晶用基板对应的区域裸露时，使该磊晶用基板裸露的区域具有多个高度远低于该牺牲结构的凸部，与多个连结所述凸部的凹部；(三)自该牺牲结构与所述凸部向上磊晶形成一底面与所述凹部形成间隙的磊晶层体；(四)自该磊晶层体向上形成一与该磊晶层体电连接的导电基材，及一自该导电基材向该磊晶用基板方向形成并将该导电基材、磊晶层体定义出多个磊晶元件的图样流道；(五)经由该图样流道与所述间隙蚀刻移除该牺牲结构并使所述磊晶元件与该磊晶用基板分离，得到多个磊晶元件。
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