[发明专利]一种清洗硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010559200.2 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102092716A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 钱利峰;王永甫;鲁学伟 | 申请（专利权）人： | 浙江芯能光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 314400 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洗硅材料的方法，包括以下步骤：a)将硅材料在稀氢氟酸或稀盐酸溶液中浸泡；b)将浸泡过的硅材料用高纯水清洗干净；c)将硅材料干燥。本发明提供的清洗硅材料的方法不使用硝酸，硅材料不受到损耗，只利用酸的腐蚀性能将硅材料表面的杂质腐蚀除去。在一种优选方式中使用稀氢氟酸对硅材料进行清洗，能够有效地清洗硅材料表面的杂质，反应平稳，基本不产生热量，不发生氧化反应，避免因氧化而对硅材料产生污染，提高了硅材料的质量；稀氢氟酸不与硅发生反应，降低了硅材料的损耗率；酸用量较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将硅材料在稀氢氟酸或稀盐酸溶液中浸泡；b)将浸泡过的硅材料用高纯水清洗干净；c)将硅材料干燥。
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