[发明专利]发光组件有效

专利信息
申请号: 201010559529.9 申请日: 2010-11-23
公开(公告)号: CN102479902B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 陈泽澎 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光组件,其包括一载体、一半导体发光薄膜、与一电极结构。所述的电极结构电连接至所述的半导体发光薄膜,具有一主要电极,围绕所述的半导体发光薄膜、一延伸电极,自所述的主要电极延伸至所述的半导体发光薄膜上、以及一电极垫,与所述的主要电极相连接。
搜索关键词: 发光 组件
【主权项】:
一种发光组件,包括:载体,具有第一侧及第二侧;半导体发光薄膜,位于该载体的第一侧上,该半导体发光薄膜依序包括第一导电型半导体层、活性层、以及第二导电型半导体层;第一电极结构电连接至该第二导电型半导体层,包括主要电极,其围绕该半导体发光薄膜、延伸电极,自该主要电极延伸至该第二导电型半导体层上、辅助电极,由该延伸电极延伸至未被该延伸电极覆盖的第二导电型半导体层上、以及一电极垫,与该主要电极相连接,其中该主要电极形成于该载体未被该半导体发光薄膜覆盖的区域上,且该主要电极的上表面高于该半导体发光薄膜的上表面,以定义一凹陷结构;绝缘结构,覆盖该载体的第一侧及该半导体发光薄膜的侧壁上,且该电极垫直接位于该绝缘结构上;以及一波长转换结构填入该凹陷结构中,该波长转换结构未覆盖该主要电极最外围的侧壁,其中,该主要电极具有一宽度大于该延伸电极的宽度,且该辅助电极具有一宽度小于该延伸电极的宽度。
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