[发明专利]发光组件有效
申请号: | 201010559529.9 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102479902B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 陈泽澎 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种发光组件,其包括一载体、一半导体发光薄膜、与一电极结构。所述的电极结构电连接至所述的半导体发光薄膜,具有一主要电极,围绕所述的半导体发光薄膜、一延伸电极,自所述的主要电极延伸至所述的半导体发光薄膜上、以及一电极垫,与所述的主要电极相连接。 | ||
搜索关键词: | 发光 组件 | ||
【主权项】:
一种发光组件,包括:载体,具有第一侧及第二侧;半导体发光薄膜,位于该载体的第一侧上,该半导体发光薄膜依序包括第一导电型半导体层、活性层、以及第二导电型半导体层;第一电极结构电连接至该第二导电型半导体层,包括主要电极,其围绕该半导体发光薄膜、延伸电极,自该主要电极延伸至该第二导电型半导体层上、辅助电极,由该延伸电极延伸至未被该延伸电极覆盖的第二导电型半导体层上、以及一电极垫,与该主要电极相连接,其中该主要电极形成于该载体未被该半导体发光薄膜覆盖的区域上,且该主要电极的上表面高于该半导体发光薄膜的上表面,以定义一凹陷结构;绝缘结构,覆盖该载体的第一侧及该半导体发光薄膜的侧壁上,且该电极垫直接位于该绝缘结构上;以及一波长转换结构填入该凹陷结构中,该波长转换结构未覆盖该主要电极最外围的侧壁,其中,该主要电极具有一宽度大于该延伸电极的宽度,且该辅助电极具有一宽度小于该延伸电极的宽度。
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