[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010559682.1 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102064253A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京;程蒙召;许继仁 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：缓冲层；依次位于所述缓冲层上的外延层、有源层以及帽层；其中，所述缓冲层在远离外延层的表面上具有多个凹陷，自有源层发出的光经所述凹陷出射时，其入射角总是小于全反射临界角，从而不会发生全反射，确保大部分的光可从缓冲层表面透射出去，从而提高了发光二极管的外量子效率，提高了发光二极管的出光效率；并且，可避免发光二极管内部温度的升高，提高了发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：缓冲层；依次位于所述缓冲层上的外延层、有源层以及帽层；其中，所述缓冲层在远离所述外延层的表面上具有多个凹陷。
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