[发明专利]一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法有效

专利信息
申请号: 201010559978.3 申请日: 2010-11-26
公开(公告)号: CN101984100A 公开(公告)日: 2011-03-09
发明(设计)人: 游国强;李爱听;龙思远;左旭东;邹钢 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C22B26/22 分类号: C22B26/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400030 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明提供一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法,该方法通过将能与钾、钠发生反应的金属氧化物粉末预先粘附到钾钠捕集器上,并将钾钠捕集器按常规炼镁流程放置于还原罐内,使还原过程生成的单质钾、钠在进入捕集器后与金属氧化物发生反应,转变为K2O、Na2O,避免开罐时发生燃烧,从而消除炼镁中单质钾、钠燃烧带来的危害。
搜索关键词: 一种 消除 硅热法炼镁中 生成 单质 危害 方法
【主权项】:
一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法,其特征在于包括如下步骤:在硅热法炼镁中,将能与单质K、Na发生置换反应的金属氧化物粉末粘附于钾钠捕集器表面,然后将钾钠捕集器按照常规工艺规程放置于炼镁还原罐内并进行真空硅热还原生产;还原结束后,打开罐盖,取出钾钠捕集器并清理、待用。
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