[发明专利]薄膜太阳能电池组成结构无效
| 申请号： | 201010560157.1 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102479865A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张一熙;梅长锜;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0224;H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京市维诗律师事务所 11393 | 代理人： | 杨安进 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是有关一种薄膜太阳能电池组成结构，至少包含：一第一半透明导电金属层，该第一半透明导电金属层的一面是照光面，用以取出电能与提升光电转换的效率；一n-i-p半导体层，其形成于该第一半透明导电金属层下方，用以产生电子空穴对，以提供光电流并增加光吸收率；以及一透明基板，其形成于该n-i-p半导体层下方，其中该第一半透明导电金属层为过渡金属或铝，以降低电阻值，使可利用功率上升，从而提高转换的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 组成 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池组成结构，其特征在于至少包含：一第一半透明导电金属层，该第一半透明导电金属层的一面为照光面，且用以取出电能与提升光电转换的效率；一n‑i‑p半导体层，其形成于该第一半透明导电金属层下方，用以产生电子空穴对，以提供光电流并增加光吸收率；以及一透明基板，其形成于该p‑i‑n半导体层下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
