[发明专利]一种PMOS动态移位寄存器单元及动态移位寄存器有效
| 申请号： | 201010560263.X | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479552A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 钱栋;曾章和 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;G09G3/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的PMOS动态移位寄存器，包括六个PMOS管、还包括一个输入信号、两个脉冲信号；其中两个脉冲信号分别是超前脉冲信号和滞后脉冲信号，滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。该PMOS动态移位寄存器在这两个脉冲信号的控制下，将输入信号滞后1/3个脉冲周期后输出，从而实现输入信号的移位。由于该移位寄存器使用的全部是PMOS管，因此比现有技术由NMOS管或CMOS管构成的移位寄存器成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 动态 移位寄存器 单元 | ||
【主权项】：
一种PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，源极和栅极之间接有第一电容，栅极连接第一节点；第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接滞后脉冲信号，栅极连接第二节点，第二节点和源极之间接有第二电容；第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接输入信号；第四PMOS管的源极连接第一节点，漏极连接接地信号，栅极连接超前脉冲信号；第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；第六PMOS管的栅极连接输入信号，源极连接第二节点，漏极连接接地信号；滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。
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