[发明专利]一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法有效
| 申请号： | 201010561133.8 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102479745A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 氮化 微波 单片 集成电路 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤10，在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上旋涂PMGI光刻胶层，将芯片进行烘片；步骤20，在步骤10中旋涂的PMGI光刻胶层上继续旋涂AZ5214E反转光刻胶层，将芯片进行烘片，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；步骤30，通过两步显影形成金属场板层图案；步骤40，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离，得到所需的场板金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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