[发明专利]硬盘中模拟超薄气膜雷诺方程的简化二阶新模型无效
| 申请号： | 201010561613.4 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479267A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 史宝军;季家东;杨廷毅 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明为硬盘中模拟超薄气膜雷诺方程的简化二阶新模型。基于目前广泛应用的FK模型，通过数学方法，推出了一种模拟硬盘中具有超低飞高气膜浮动块修正雷诺方程的简化二阶新模型，这种雷诺方程的新模型具有比FK模型简单的数学表达式。在具体实施方式中，采用这种新模型并应用一种无网格法-最小二乘有限差分法，分别对无限长气膜浮动块和二维平面浮动块进行了求解。数值结果表明，这种雷诺方程新模型与FK模型相比，计算时间短，模拟精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 硬盘 模拟 超薄 雷诺 方程 简化 二阶新 模型 | ||
【主权项】：
一种硬盘中模拟超薄气膜雷诺方程简化二阶新模型推导的方法，主要步骤包括：1)对现有FK模型的泊松流速系数进行求解，并将求解结果适当分成5组；2)对上述5组数据用二阶连续函数作为拟合曲线；3)对每个数据段采用最小二乘法进行曲线拟合，推出相应的参数值；4)经过适当运算调整代入雷诺方程，推出雷诺方程的新模型。
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