[发明专利]单晶片加工方法及单晶片有效
| 申请号： | 201010562136.3 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479675A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 厉策;胡升东;汪德文 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/04;B28D5/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶片加工方法，包括如下步骤：将去除了一侧扩散层的单晶片的应力集中区去除。这种单晶片的加工方法在去除单晶片一侧扩散层后去除了应力集中区，减小了应力，从而降低了碎片损耗。此外，还提供一种去除了一侧的扩散层后应力集中区被去除的单晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶片加工方法，包括如下步骤：将去除了一侧扩散层的单晶片的应力集中区去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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