[发明专利]具有微晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池无效
申请号: | 201010562895.X | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN102479834A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 张一熙;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/055;H01L31/075;H01L31/0264 |
代理公司: | 北京市维诗律师事务所 11393 | 代理人: | 杨安进 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是关于一种具有微晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其包括透明基板、第一电极、第二电极、p型半导体层、红外光转换层、n型半导体层以及微晶硅本质层;第一电极配置于透明基板上;第二电极配置于第一电极与透明基板之间;p型半导体层配置于第一电极与第二电极之间;红外光转换层配置于p型半导体层与第二电极之间,用以将红外光转换为可见光;n型半导体层配置于p型半导体层与第一电极之间;微晶硅本质层配置于p型半导体层与n型半导体层之间。本发明可将无法被太阳能电池所利用的红外光转换为可被太阳能电池所利用的可见光,以提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 微晶硅 本质 光电 转换 效率 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有微晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其特征在于包括:一透明基板;一第一电极,配置于该透明基板上;一第二电极,配置于该第一电极与该透明基板之间;一p型半导体层,配置于该第一电极与该第二电极之间;一红外光转换层,配置于该p型半导体层与该第二电极之间,用以将红外光转换为一可见光;一n型半导体层,配置于该p型半导体层与该第一电极之间;以及一微晶硅本质层,配置于该p型半导体层与该n型半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的