[发明专利]一种四氧化三钴的制备方法无效
| 申请号： | 201010563133.1 | 申请日： | 2010-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102476832A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王齐华;汪德伟;王廷梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四氧化三钴的制备方法。本发明首先制备出具有良好晶形的水合草酸钴为前躯体，通过控制焙烧过程，使得H2O和CO2气体小分子的释放而获得孔径分布窄，比表面积高，形貌可控的四氧化三钴纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四氧化三钴的制备方法，其特征在于该方法步骤为：A水合草酸钴纳米结构的可控合成将等摩尔比的草酸和二价钴盐溶解于有机溶剂中得到蓝色透明溶液，然后向其中加入去离子水，搅拌得到水合草酸钴沉淀；或者将溶解有等摩尔比的草酸和二价钴盐的有机溶剂加入到去离子水中搅拌得到水合草酸钴沉淀；所述的有机溶剂选自氮，氮二甲基乙酰胺或二基亚砜；将沉淀用去离子水洗涤，在空气中干燥后得到具有良好晶形的水合草酸钴粉体；B介孔四氧化三钴纳米结构的制备将水合草酸钴粉体于350℃热处理0.5‑3小时，然后冷却至室温得到不同形貌的介孔纳米四氧化三钴。
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