[发明专利]预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统有效

专利信息
申请号: 201010563371.2 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN102289531A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 罗嘉琳;苏哿暐;郑敏祺;萧凤玲;萧铮;黄怡硕;陈怡君 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中,预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入,以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。
搜索关键词: 预测 半导体 可靠 方法 装置 以及 测试 系统
【主权项】:
一种预测半导体可靠度的方法,此方法包括:接收一半导体装置的一劣化参数输入至一模拟计算装置;利用一劣化方程式,根据此劣化参数输入决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存的斜率值,其中此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值;累加此多个斜率值;以及预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定此半导体装置的应力效应。
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