[发明专利]一种GaN基LED半导体芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电镀等，将GaN外延层转移到电导率、热导率高的铜衬底上，得到GaN基LED半导体芯片。本发明方法制得的GaN基LED半导体芯片光输出功率显著提高，电学性能、发光性能和结构性能明显改善，制作成本低，简单易行，彻底解决了蓝宝石衬底给器件带来的不利影响，适于在LED领域或半导体器件制备中推广使用。

主权项

一种GaN基LED半导体芯片的制备方法，其特征在于所述制备方法是将已经生长好的GaN基LED结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁，再将外延层结构粘合到玻璃衬底上，利用氨型螯合剂1,2‑二氨基乙烷溶液腐蚀掉AlInN牺牲层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离，得到GaN基LED半导体芯片。