[发明专利]一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池，包括：N型单晶硅衬底、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜和氮化硅薄膜；前电极包括：局域硼扩散区、Ti/Pb薄膜和前表面金属电极；背电极包括：背表面金属电极和背表面三氧化二铝薄膜。本发明还公开了N型单晶硅衬底PN结反型层电池的制造方法。本发明利用AL2O3带有固定负电荷，在N型单晶硅衬底的前表面诱导出一个P型反型层，提供前电场，由于没有硼掺杂的影响，使得电池稳定性能提高，同时降低了对短波的吸收，提高了蓝光响应，提高电池的短路电流密度，电池效率得到提升。

主权项

一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池，其特征在于：它包括：N型单晶硅衬底（1）、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜（3）和氮化硅薄膜（4）；所述前电极包括：局域硼扩散区（2）、Ti/Pb薄膜（6）和前表面金属电极（7）；所述背电极包括：背表面金属电极（5）和背表面三氧化二铝薄膜（8）；所述 N型单晶硅衬底（1）前表面附着前表面三氧化二铝薄膜（3），前表面三氧化二铝薄膜（3）外附着氮化硅薄膜（4）；N型单晶硅衬底（1）前表面上设有凹槽，凹槽内设置前电极，前电极从内而外依次设有：局域硼扩散区（2）、Ti/Pb薄膜（6）和前表面金属电极（7）；N型单晶硅衬底（1）背面设有背电极，背电极中背表面三氧化二铝薄膜（8）附着于N型单晶硅衬底（1）的背表面，并且背表面三氧化二铝薄膜（8）上设有凹槽，背表面金属电极（5）穿过凹槽与N型单晶硅衬底（1）连接。